Numărul de produs al producătorului:
TSM2537CQ RFG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM2537CQ RFG-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Inventar:
29449 Piese Noi Originale În Stoc
12899125
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM2537CQ RFG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.6A (Tc), 9A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Putere - Max
6.25W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-VDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
6-TDFN (2x2)
Numărul de bază al produsului
TSM2537
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM2537CQ RFGCT
TSM2537CQRFGCT
TSM2537CQ RFGDKR
TSM2537CQ RFGTR
TSM2537CQ RFGDKR-DG
TSM2537CQ RFGCT-DG
TSM2537CQRFGDKR
TSM2537CQ RFGTR-DG
TSM2537CQRFGTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM6502CR RLG
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
DMC3021LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
DMHC3025LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
